2026-03-08T04:24:05Z https://kit.repo.nii.ac.jp/oai

oai:kit.repo.nii.ac.jp:02000320 2026-01-16T01:16:52Z 1753926516427:1753929991454:1753935962746

電子顕微鏡法を用いたワイドバンドギャップ半導体の結晶欠陥解析に関する研究 The study of crystal defect analysis of wide band gap semiconductors using electron microscopy 佐藤, 高広 SATO, Takahiro open access ワイドバンドギャップ半導体 4H-SiC GaN 結晶欠陥 転位 表面欠陥 走査透過電子顕微鏡 走査電子顕微鏡 集束イオンビーム加工装置 多方向観察 MD-STEM法 我々が直面しているエネルギー問題や環境問題解決のため、パワーデバイスを用いた電力制御・高効率利用が期待されている。パワーデバイス材料として期待されているワイドバンドギャップ（WBG）半導体は、性能向上のために結晶欠陥低減やウエハ品質向上という問題を抱えている。本研究の目的は、電子顕微鏡法を用いたWBG半導体の結晶欠陥構造解析の高度化である。本論文では、多方向走査透過電子顕微鏡法による表面モフォロジーと転位に関する一貫解析法、トリプルビーム®機能による低損傷薄膜試料作製技術を確立した。両手法がWBG半導体結晶欠陥解析に有効であることを確認した。以上の結果、本研究で目的とした電子顕微鏡法を用いたWBG半導体の結晶欠陥構造解析の高度化を達成することができた。社会発展に必要とするエネルギー消費を電力供給源の増加に求めることなく、省エネルギーや環境問題などの社会問題解決の一助をもたらすことが期待できる。 2018-09-25 jpn doctoral thesis VoR http://hdl.handle.net/10212/2493 https://kit.repo.nii.ac.jp/records/2000320 甲第892号 博士（工学） 2018-09-25 京都工芸繊維大学 https://kit.repo.nii.ac.jp/record/2000320/files/D1-0892_h1.pdf application/pdf 37.3 MB https://kit.repo.nii.ac.jp/record/2000320/files/D1-0892.pdf application/pdf 195.8 KB