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  1. その他(旧リポジトリコンテンツを含む)
  2. 教育研究プロジェクト
  3. 教育研究推進事業(萌芽研究)

レーザー誘起ナノ細線配線と革新的なナノ光電子デバイスの開発

http://hdl.handle.net/10212/1912
http://hdl.handle.net/10212/1912
b2eb8644-e65d-43f8-bcab-d6ebc6587967
名前 / ファイル ライセンス アクション
00_レーザー誘起ナノ細線配線と革新的なナノ光電子デバイスの開発(全文).pdf 00_レーザー誘起ナノ細線配線と革新的なナノ光電子デバイスの開発(全文).pdf (1.9 MB)
01_表紙_目次_はしがき.pdf 01_表紙_目次_はしがき.pdf (308.3 KB)
02_(研究成果)ナノメートルサイズで制御された構造を基盤とする新規光デバイスの構築/堤 直人.pdf 02_(研究成果)ナノメートルサイズで制御された構造を基盤とする新規光デバイスの構築/堤 直人.pdf (489.6 KB)
03_(研究成果)新奇有機光電子半導体材料:(チオフェン/フェニレン)コオリゴマー(Ⅱ)/堀田 収.pdf 03_(研究成果)新奇有機光電子半導体材料:(チオフェン/フェニレン)コオリゴマー(Ⅱ)/堀田 収.pdf (439.3 KB)
04_(研究成果)分子線エピタキシー法によるGaAsBi/GaAs 04_(研究成果)分子線エピタキシー法によるGaAsBi/GaAs 多重量子井戸構造の製作/吉本昌広.pdf (646.4 KB)
05_研究論文等リスト.pdf 05_研究論文等リスト.pdf (378.3 KB)
06_裏表紙.pdf 06_裏表紙.pdf (190.2 KB)
Item type 報告書 / Report(1)
公開日 2009-08-19
タイトル
タイトル レーザー誘起ナノ細線配線と革新的なナノ光電子デバイスの開発
言語 ja
作成者 堤, 直人

× 堤, 直人

ja 堤, 直人

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堀田, 収

× 堀田, 収

ja 堀田, 収

Search repository
吉本, 昌広

× 吉本, 昌広

ja 吉本, 昌広

Search repository
アクセス権
アクセス権 open access
アクセス権URI http://purl.org/coar/access_right/c_abf2
主題
言語 ja
主題Scheme Other
主題 レーザー誘起周期表面構造,キラル構造,円Bragg反射,フェムト秒レーザー誘起ナノ細線配線,銀イオンの還元,2光子吸収励起,(チオフェン/フェニレン)コオリゴマー
主題
言語 ja
主題Scheme Other
主題 マイクロリングレーザー,光閉じ込め,発光トランジスタ,外部量子効率,交流ゲート電圧印加法
主題
言語 ja
主題Scheme Other
主題 半導体半金属混晶,発光波長温度無依存,分子線エピタキシー,ビスマス,Ⅲ-Ⅴ族半導体
主題
言語 ja
主題Scheme Other
主題 ホトルミネセンス,レーザダイオード
主題
言語 en
主題Scheme Other
主題 Laser induced periodic surface structure,Chiral structure,Circular Bragg reflection,Femto laser induced nanometer scale silver wire,Reduction of silver ion,Two photon excitation,thiophene/phenylene co-oligomers
主題
言語 en
主題Scheme Other
主題 microring laser,optical confinement,Light-emitting field-effect transistor,external quantum efficiency,alternating-current gate voltage,semiconductor-semimetal alloy
主題
言語 en
主題Scheme Other
主題 temperature-insensitive bandgap,temperature-insensitive wavelength laser,molecular beam epitaxy,bismuth,III-V semiconductor,Photoluminescence,laser diode
内容記述
内容記述タイプ Abstract
内容記述 1.ナノメートルサイズで制御された構造を基盤とする新規光デバイスの構築:キラル構造をもたないアモルファス材料に円偏光照射により高度なキラリティーをもつへリックス構造を誘起できた。2光子励起を用いることで材料内の任意の場所に銀ナノ細線配線を構築できた。 2.新奇有機光電子半導体材料:(チオフェン/フェニレン)コオリゴマー(II):TPCOは安定かつ、発光デバイスの素材として高いパフォーマンスをもつ有機半導体であることを示した。 3.分子線エピタキシー法によるGaAsBi/GaAs多重量子井戸構造の製作:Bi原子は、III-V族半導体の成長の際にサーファクタントとして用いられており、GaAs1-xBix/GaAs MQW構造を、分子線エピタキシー法を用いて成長温度350℃から400℃の範囲でGaAs(001)基板上に製作できることを明確にした。GaAs0.891Bi0.109/ GaAs MQW構造からは、通信用波長帯1.3 μmにおけるPL発光を室温において観測した。
言語 ja
内容記述
内容記述タイプ Other
内容記述 平成20年度教育研究推進事業成果報告書
言語 ja
内容記述
内容記述タイプ Other
内容記述 Submitted by 附属図書館 KIT-Repository (dspace-admin@jim.kit.ac.jp) on 2009-04-08T05:19:12Z No. of bitstreams: 1 00_レーザー誘起ナノ細線配線と革新的なナノ光電子デバイスの開発(全文).pdf: 2011399 bytes, checksum: 11942296b9d634afbab638bdf0232b14 (MD5)
言語 en
内容記述
内容記述タイプ Other
内容記述 Made available in DSpace on 2009-04-08T05:19:12Z (GMT). No. of bitstreams: 1 00_レーザー誘起ナノ細線配線と革新的なナノ光電子デバイスの開発(全文).pdf: 2011399 bytes, checksum: 11942296b9d634afbab638bdf0232b14 (MD5) Previous issue date: 2009-03
言語 en
日付
日付 2009-03
日付タイプ Issued
言語
言語 jpn
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_18ws
資源タイプ research report
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Ver.1 2025-09-09 07:04:16.768399
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