WEKO3
アイテム
電子顕微鏡法を用いたワイドバンドギャップ半導体の結晶欠陥解析に関する研究
http://hdl.handle.net/10212/2493
http://hdl.handle.net/10212/24933517d3b9-d036-4158-b6cc-a34dda29173d
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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全文 (37.3 MB)
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内容・審査結果の要旨 (195.8 KB)
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| Item type | 学位論文 / Thesis or Dissertation(1) | |||||||||
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| 公開日 | 2021-08-26 | |||||||||
| タイトル | ||||||||||
| タイトル | 電子顕微鏡法を用いたワイドバンドギャップ半導体の結晶欠陥解析に関する研究 | |||||||||
| 言語 | ja | |||||||||
| その他のタイトル | ||||||||||
| その他のタイトル | The study of crystal defect analysis of wide band gap semiconductors using electron microscopy | |||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| 作成者 |
佐藤, 高広
× 佐藤, 高広
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| アクセス権 | ||||||||||
| アクセス権 | open access | |||||||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_abf2 | |||||||||
| 主題 | ||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | ワイドバンドギャップ半導体 | |||||||||
| 主題 | ||||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | 4H-SiC | |||||||||
| 主題 | ||||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | GaN | |||||||||
| 主題 | ||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | 結晶欠陥 | |||||||||
| 主題 | ||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | 転位 | |||||||||
| 主題 | ||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | 表面欠陥 | |||||||||
| 主題 | ||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | 走査透過電子顕微鏡 | |||||||||
| 主題 | ||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | 走査電子顕微鏡 | |||||||||
| 主題 | ||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | 集束イオンビーム加工装置 | |||||||||
| 主題 | ||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | 多方向観察 | |||||||||
| 主題 | ||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | MD-STEM法 | |||||||||
| 内容記述 | ||||||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||||||
| 内容記述 | 我々が直面しているエネルギー問題や環境問題解決のため、パワーデバイスを用いた電力制御・高効率利用が期待されている。パワーデバイス材料として期待されているワイドバンドギャップ（WBG）半導体は、性能向上のために結晶欠陥低減やウエハ品質向上という問題を抱えている。本研究の目的は、電子顕微鏡法を用いたWBG半導体の結晶欠陥構造解析の高度化である。本論文では、多方向走査透過電子顕微鏡法による表面モフォロジーと転位に関する一貫解析法、トリプルビーム®機能による低損傷薄膜試料作製技術を確立した。両手法がWBG半導体結晶欠陥解析に有効であることを確認した。以上の結果、本研究で目的とした電子顕微鏡法を用いたWBG半導体の結晶欠陥構造解析の高度化を達成することができた。社会発展に必要とするエネルギー消費を電力供給源の増加に求めることなく、省エネルギーや環境問題などの社会問題解決の一助をもたらすことが期待できる。 | |||||||||
| 言語 | ja | |||||||||
| 日付 | ||||||||||
| 日付 | 2018-09-25 | |||||||||
| 日付タイプ | Issued | |||||||||
| 言語 | ||||||||||
| 言語 | jpn | |||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_db06 | |||||||||
| 資源タイプ | doctoral thesis | |||||||||
| 出版タイプ | ||||||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||||||
| 学位授与番号 | ||||||||||
| 学位授与番号 | 甲第892号 | |||||||||
| 学位名 | ||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||
| 学位名 | 博士（工学） | |||||||||
| 学位授与年月日 | ||||||||||
| 学位授与年月日 | 2018-09-25 | |||||||||
| 学位授与機関 | ||||||||||
| 学位授与機関識別子Scheme | kakenhi | |||||||||
| 学位授与機関識別子 | 14303 | |||||||||
| 言語 | ja | |||||||||
| 学位授与機関名 | 京都工芸繊維大学 | |||||||||
